SAMSUNG SSD 850evo

【送料無料】SAMSUNG SSD 850 EVO MZ-75E500B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/500GB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

【送料無料】SAMSUNG SSD(250GB) 850 EVO MZ-75E250B/IT [MZ75E250BIT]

[SAMSUNG SSD(250GB) MZ-75E250B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速性能。●強化された RAPID モードでさらに超高速化。●3D V-NAND テクノロジーが実現する究極の耐久性と信頼性。●3D V-NAND によるエネルギー効率の向上により、ノートパソコンのバッテリーがさらに長持ち。●AES 256ビット暗号化により、大切なデータをしっかり保護。●ダイナミック サーマル ガード機能。●ワンストップ インストール ナビゲータで、換装作業も簡単。●自社垂直統合による最高水準の品質管理と最高性能。

【送料無料】 SAMSUNG 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ-75E500B/IT(500GB)[MZ75E500BIT]

◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

SAMSUNG MZ-75E500B/IT [500GB/SSD] SSD 850 EVO ベーシックキット SATA (6Gb/s)

商品名 SAMSUNGMZ-75E500B/IT ジャンル SSD 商品概要 V-NANDとターボライトで高速化したSSD「850 EVO」ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速パフォーマンスSSD 850 EVO予備領域の一部を、超高速化バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。前モデルSSD 840 EVOより10%以上優れた高速性能に加え、パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデル同等のパフォーマンスが得られます。パソコンでのあらゆる利用を想定したランダム性能の最適化により、ランダム書込み速度は前モデル比最大2.4倍もの高速化を達成。勿論、大容量データの読み書きに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。SATA3インターフェースの実効速度限界値に迫るリード・540MB/s、ライト・520MB/sを実現しました。

【送料無料】SAMSUNG SSD 850 EVO MZ-75E250B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/250GB/SATA)

■V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

【送料無料】SAMSUNG SSD(500GB) 850 EVO MZ-75E500B/IT [MZ75E500BIT]

[SAMSUNG SSD(500GB) MZ-75E500B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速性能。●強化された RAPID モードでさらに超高速化。●3D V-NAND テクノロジーが実現する究極の耐久性と信頼性。●3D V-NAND によるエネルギー効率の向上により、ノートパソコンのバッテリーがさらに長持ち。●AES 256ビット暗号化により、大切なデータをしっかり保護。●ダイナミック サーマル ガード機能。●ワンストップ インストール ナビゲータで、換装作業も簡単。●自社垂直統合による最高水準の品質管理と最高性能。

【送料無料】SAMSUNG SSD(1TB) 850 EVO MZ-75E1T0B/IT [MZ75E1T0BIT]

[SAMSUNG SSD(1TB) MZ-75E1T0B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速性能。●強化された RAPID モードでさらに超高速化。●3D V-NAND テクノロジーが実現する究極の耐久性と信頼性。●3D V-NAND によるエネルギー効率の向上により、ノートパソコンのバッテリーがさらに長持ち。●AES 256ビット暗号化により、大切なデータをしっかり保護。●ダイナミック サーマル ガード機能。●ワンストップ インストール ナビゲータで、換装作業も簡単。●自社垂直統合による最高水準の品質管理と最高性能。

【送料無料】 SAMSUNG 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ-75E250B/IT(250GB)[MZ75E250BIT]

◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

MZ-75E500B/IT サムスン Samsung SSD 850EVOシリーズ 500GB(ベーシックキット) [MZ75E500BIT]【返品種別B】【送料無料】

在庫状況:○在庫あり1日〜2日で出荷□「返品種別」について詳しくはこちら□2014年12月 発売メーカー保証期間 5年または書き込み上限に到達した日のいずれか短い期間まで【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。V-NAND × ターボライトテクノロジーで圧倒的な高速パフォーマンスを実現◆ターボライトテクノロジによる圧倒的な パフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10mm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。

【送料無料】SAMSUNG SSD 850 EVO MZ-75E1T0B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/1TB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

【送料無料】 SAMSUNG SSD 850 EVO MZ-75E2T0B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/2TB/SATA)

SSD/2.5インチ/シリアルATA/2TB/ベーシックキット/メーカー保証付(Samsung SSD正規代理店:ITGマーケティング経由)■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

サムスン 2.5インチSATA接続SSD Samsung ベーシックキット(500GB) MZ‐75E500B/IT(送料無料)

【商品解説】●ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ●微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V−NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V−NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

【送料無料】 SAMSUNG 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ-75E1T0B/IT(1TB)[MZ75E1T0BIT]

◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

MZ-75E250B/IT サムスン Samsung SSD 850EVOシリーズ 250GB(ベーシックキット) [MZ75E250BIT]【返品種別B】【送料無料】

在庫状況:○在庫あり□「返品種別」について詳しくはこちら□2014年12月 発売メーカー保証期間 5年または書き込み上限に到達した日のいずれか短い期間まで【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。V-NAND × ターボライトテクノロジーで圧倒的な高速パフォーマンスを実現◆ターボライトテクノロジによる圧倒的な パフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10mm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な問題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。

サムスン 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ‐75E1T0B/IT(1TB)(送料無料)

【商品解説】◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V−NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V−NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

【送料無料】SAMSUNG SSD(120GB) 850EVO M.2 MZ-N5E120B/IT [MZN5E120BIT]

[SAMSUNG SSD(120GB) MZ-N5E120B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●微細化プロセス制限の壁を打ち破った技術「Samsung 3D V-NAND」。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。●ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンス。SSDの予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。ランダム性能の最適化により、ランダム書き込み速度89000IOPSを実現。●超高速化機能「エンハンストRAPIDモード」。

【送料無料】SAMSUNG SSD(250GB) 850EVO M.2 MZ-N5E250B/IT [MZN5E250BIT]

[SAMSUNG SSD(250GB) MZ-N5E250B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●微細化プロセス制限の壁を打ち破った技術「Samsung 3D V-NAND」。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。●ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンス。SSDの予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。ランダム性能の最適化により、ランダム書き込み速度89000IOPSを実現。●超高速化機能「エンハンストRAPIDモード」。

【送料無料】SAMSUNGSSD 850 EVO MZ-75E250B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/250GB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

SAMSUNG MZ-75E250B/IT [250GB/SSD] SSD 850 EVO ベーシックキット SATA (6Gb/s)

商品名 SAMSUNGMZ-75E250B/IT ジャンル SSD 商品概要 V-NANDとターボライトで高速化したSSD「850 EVO」ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速パフォーマンスSSD 850 EVO予備領域の一部を、超高速化バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。前モデルSSD 840 EVOより10%以上優れた高速性能に加え、パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデル同等のパフォーマンスが得られます。パソコンでのあらゆる利用を想定したランダム性能の最適化により、ランダム書込み速度は前モデル比最大2.4倍もの高速化を達成。勿論、大容量データの読み書きに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。SATA3インターフェースの実効速度限界値に迫るリード・540MB/s、ライト・520MB/sを実現しました。

SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E500B/IT■500GB◆未開封

SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E500B/IT■500GB◆未開封 商品名 2.5インチSolid State Disk 型番 850 EVO MZ-75E500B/IT 仕様 [スペック] 容量 500 GB タイプ 3D V-NAND 規格サイズ 2.5インチ インターフェイス Serial ATA 6Gb/s 設置タイプ 内蔵 厚さ 6.8 mm [パフォーマンス] 読込速度 540 MB/s 書込速度 520 MB/s ランダム読込速度 4KBランダム(QD1)読み出し:10,000 IOPS/4KBランダム(QD32)読み出し:98,000 IOPS ランダム書込速度 4KBランダム(QD1)書き込み:40,000 IOPS/4KBランダム(QD32)書き込み:90,000 IOPS 商品状態 新品未開封 商品情報URL 詳しくはメーカーホームページをご覧ください。 その他 ※商品の画像はイメージです。表示価格は消費税を含みます。その他たくさんの魅力ある商品を出品しております。ぜひ、見て行ってください。 ※返品についてはこちらをご覧ください。

SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E1T0B/IT■1TB◆未開封【即納】

商品名SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E1T0B/IT■1TB◆未開封商品状態 新品未開封です。 商品名 2.5インチSolid State Disk 型番 850 EVO MZ-75E1T0B/IT 仕様 [スペック] 容量 1000 GB タイプ 3D V-NAND 規格サイズ 2.5インチ インターフェイス Serial ATA 6Gb/s 設置タイプ 内蔵 厚さ 6.8 mm [パフォーマンス] 読込速度 540 MB/s 書込速度 520 MB/s ランダム読込速度 4KBランダム(QD1)読み出し:10,000 IOPS/4KBランダム(QD32)読み出し:98,000 IOPS ランダム書込速度 4KBランダム(QD1)書き込み:40,000 IOPS/4KBランダム(QD32)書き込み:90,000 IOPS その他 ※商品の画像はイメージです。表示価格は消費税を含みます。その他たくさんの魅力ある商品を出品しております。ぜひ、見て行ってください。※返品についてはこちらをご覧ください。

【送料無料】SAMSUNGSSD 850 EVO MZ-75E500B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/500GB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

SAMSUNG MZ-75E250B/IT [250GB/SSD] SSD 850 EVO ベーシックキット SATA (6Gb/s)

商品名 SAMSUNGMZ-75E250B/IT ジャンル SSD 商品概要 V-NANDとターボライトで高速化したSSD「850 EVO」ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速パフォーマンスSSD 850 EVO予備領域の一部を、超高速化バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。前モデルSSD 840 EVOより10%以上優れた高速性能に加え、パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデル同等のパフォーマンスが得られます。パソコンでのあらゆる利用を想定したランダム性能の最適化により、ランダム書込み速度は前モデル比最大2.4倍もの高速化を達成。勿論、大容量データの読み書きに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。SATA3インターフェースの実効速度限界値に迫るリード・540MB/s、ライト・520MB/sを実現しました。

【送料無料】SAMSUNGMZ-M5E1T0B/IT (SSD/mSATA/1TB/SATA)

■3D V-NAND×ターボライトテクノロジー 先進の機能をmSATAに凝縮。あなたのパソコンを、もっと速く!パワフルに!タフに!■ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンス:SSD 850 EVO mSATAの予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得られます。パソコンであらゆる利用を想定したランダム性能の最適化により、ランダム書き込み速度(※)は前モデル比2倍以上もの高速化を達成。もちろん、大容量データの書き込みに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。SATA3インターフェイスの実効速度限界値に迫るライト520MB/sを実現しました。

SAMSUNG/サムスン 【安心のメーカー5年保証】SSD 850 EVO ベーシックキット 500GB MZ-75E500B/IT

★ SAMSUNG/サムスン 【安心のメーカー5年保証】SSD 850 EVO ベーシックキット 500GB MZ-75E500B/IT (MZ75E500BIT) 特徴・機能 どんな商品? 発売日:2014年12月中旬3D V-NAND×ターボライトテクノロジー!あなたのパソコンをもっと速く!パワフルに!タフに!新開発のSamsung 3D V-NANDは、Solid State Drive (SSD) をはじめ、さまざまな家電製品や情報機器への採用が予定されています。スマートフォンやパソコンでは、レスポンスの大幅な向上・バッテリーの駆動時間の増加に寄与し、データセンターでは電力消費を抑制しつつ、生産性と耐久性を向上させることが期待できます。

SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E500B/IT■500GB◆未開封【即納】

SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E500B/IT■500GB◆未開封 商品状態 :新品未開封 商品名 :2.5インチSolid State Disk 型番 : 850 EVO MZ-75E500B/IT 仕様 :[スペック] 容量 500 GB タイプ 3D V-NAND 規格サイズ 2.5インチ インターフェイス Serial ATA 6Gb/s 設置タイプ 内蔵 厚さ 6.8 mm [パフォーマンス] 読込速度 540 MB/s 書込速度 520 MB/s ランダム読込速度 4KBランダム(QD1)読み出し:10,000 IOPS/4KBランダム(QD32)読み出し:98,000 IOPS ランダム書込速度 4KBランダム(QD1)書き込み:40,000 IOPS/4KBランダム(QD32)書き込み:90,000 IOPS その他 :※商品の画像はイメージです。表示価格は消費税を含みます。その他たくさんの魅力ある商品を出品しております。ぜひ、見て行ってください。※返品についてはこちらをご覧ください。

SAMSUNG/サムスン 【安心のメーカー5年保証】SSD 850 EVO ベーシックキット 250GB MZ-75E250B/IT

★ SAMSUNG/サムスン 【安心のメーカー5年保証】SSD 850 EVO ベーシックキット 250GB MZ-75E250B/IT (MZ75E250BIT) 特徴・機能 どんな商品? 発売日:2014年12月中旬3D V-NAND×ターボライトテクノロジー!あなたのパソコンをもっと速く!パワフルに!タフに!新開発のSamsung 3D V-NANDは、Solid State Drive (SSD) をはじめ、さまざまな家電製品や情報機器への採用が予定されています。スマートフォンやパソコンでは、レスポンスの大幅な向上・バッテリーの駆動時間の増加に寄与し、データセンターでは電力消費を抑制しつつ、生産性と耐久性を向上させることが期待できます。

SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E1T0B/IT■1TB◆未開封【即納】

SAMSUNG■2.5インチ SSD■MZ-75E1T0B/IT■1TB◆未開封 商品名 2.5インチSolid State Disk 型番 850 EVO MZ-75E1T0B/IT 仕様 [スペック] 容量 1000 GB タイプ 3D V-NAND 規格サイズ 2.5インチ インターフェイス Serial ATA 6Gb/s 設置タイプ 内蔵 厚さ 6.8 mm [パフォーマンス] 読込速度 540 MB/s 書込速度 520 MB/s ランダム読込速度 4KBランダム(QD1)読み出し:10,000 IOPS/4KBランダム(QD32)読み出し:98,000 IOPS ランダム書込速度 4KBランダム(QD1)書き込み:40,000 IOPS/4KBランダム(QD32)書き込み:90,000 IOPS 商品状態 新品未開封です。 商品情報URL 詳しくはメーカーホームページをご覧ください。 その他 ※商品の画像はイメージです。表示価格は消費税を含みます。その他たくさんの魅力ある商品を出品しております。ぜひ、見て行ってください。 ※返品についてはこちらをご覧ください。

★サムスン (SAMSUNG) SSD 850EVOシリーズ (500GB) ベーシックキット MZ-75E500B/IT 【あす楽(平日のみ出荷)/代引除く】

【kk9n0d18p】 【商品の説明】■DOS/Vパーツ(PCパーツ)をお買い求めの際のご注意■お買い上げ商品に初期不良と思われる症状が確認された場合、明らかに不良が分かる内容(傷・欠損等)でも一度お預かりしてメーカーに確認を取ってからの対応となり、そのためのお時間がかかることがあります。Samsung SSD 850 EVO シリーズは、メモリセルの構造を立体化させた「Samsung 3D V-NAND」と、高速化機能「ターボライトテクノロジー」の実装により、ランダム書き込みのパフォーマンスを最大 2.4倍向上※させた高パフォーマンス製品です。3D V-NAND、専用コントローラ、ファームウェアに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、耐久性、信頼性を劇的に向上。5 年保証を実現しました。※従来製品 840 EVO の 120GB モデルと 850 EVO の 120GB モデルを比較した場合 【製品仕様・形式】 ※仕様等は予告無く変更されている場合があります。必ずメーカーページ等で別途ご確認下さい。

★サムスン (SAMSUNG) SSD 850 EVOシリーズ ベーシックキット 250GB MZ-75E250B/IT 【あす楽(平日のみ出荷)/代引除く】

【kk9n0d18p】 【商品の説明】■DOS/Vパーツ(PCパーツ)をお買い求めの際のご注意■お買い上げ商品に初期不良と思われる症状が確認された場合、明らかに不良が分かる内容(傷・欠損等)でも一度お預かりしてメーカーに確認を取ってからの対応となり、そのためのお時間がかかることがあります。Samsung SSD 850 EVO シリーズは、メモリセルの構造を立体化させた「Samsung 3D V-NAND」と、高速化機能「ターボライトテクノロジー」の実装により、ランダム書き込みのパフォーマンスを最大 2.4倍向上※させた高パフォーマンス製品です。3D V-NAND、専用コントローラ、ファームウェアに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、耐久性、信頼性を劇的に向上。5 年保証を実現しました。※従来製品 840 EVO の 120GB モデルと 850 EVO の 120GB モデルを比較した場合 【製品仕様・形式】 ※仕様等は予告無く変更されている場合があります。必ずメーカーページ等で別途ご確認下さい。

Samsung SSD 250GB 850 EVO ベーシックキット V-NAND搭載 2.5インチ 内蔵型 MZ-75E250B/IT

Samsung V-NAND搭載SSD。日本サムスン正規品。シーケンシャル:読み出し540MB/s、書き込み520MB/s4KBランダム(QD32):読み出し97,000IOPS、書き込み88,000IOPSフォームファクタ:7mm厚 2.5インチHDD互換容量:250GB保証期間:5年保証(TBW:75TB)

Samsung SSD 250GB 850 EVO M.2ベーシックキット Type2280 SATA3.0(6Gb/s) V-NAND搭載 MZ-N5E250B/IT

Samsung V-NAND搭載SSD。日本サムスン正規品。シーケンシャル:読み出し540MB/s、書き込み500MB/s4KBランダム(QD32):読み出し97,000IOPS、書き込み89,000IOPSフォームファクタ:M.2 (Type 2280)容量:250GB保証期間:5年保証(TBW:75TB)付属品:保証規定&ユーザーマニュアル (英語版)

Samsung SSD 120GB 850 EVO ベーシックキット V-NAND搭載 2.5インチ 内蔵型 MZ-75E120B/IT

Samsung V-NAND搭載SSD。日本サムスン正規品。シーケンシャル:読み出し540MB/s、書き込み520MB/s4KBランダム(QD32):読み出し94,000IOPS、書き込み88,000IOPSフォームファクタ:7mm厚 2.5インチHDD互換容量:120GB保証期間:5年保証(TBW:75TB)

2.0TB SAMSUNG 2.5インチ SSD [MZ-75E2T0BW] (3D V-NAND/ SATA600/ 7mm)

V-NANDテクノロジーを採用したSSD、850 EVOシリーズ

4.0TB SAMSUNG 2.5インチ SSD [MZ-75E4T0BW] (3D V-NAND/ SATA600/ 7mm)

V-NANDテクノロジーを採用したSSD、850 EVOシリーズ

M。2 SATA 3 SSDコネクタ変換アダプタカード、SATAデータと電力コンボケーブルサポート、M。2 NGFF SATA 2280 , 2260 , 2242 , 2230 – supahub

などのB + M ' B ' sata-bus NGFF M。2 SSDをサポートしてキーまたはキーSamsung 750evo / 850evo , WDブルーwds500g1b0b / wds100t1b0b / wds250g1b0b , Crucial mx200 / mx300 , SanDisk x400 Kingston sm2280s3g2 SATA SSDで回転します。(注:このアイテムはフィットM 'で内部SSDはPCIe NVMe / PCIe AHCI Mでキー)が含まれています。などの、さまざまなシステムと互換DOS , Windows 95、98、XP、2000、Vista , Win 7 , Linux , Unixなどが含まれることがあります。