SAMSUNG SSD 850evo

MZ-75E500B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850EVOシリーズ 500GB(ベーシックキット) [MZ75E500BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:最短24時間以内出荷□「返品種別」について詳しくはこちら□2014年12月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。V-NAND × ターボライトテクノロジーで圧倒的な高速パフォーマンスを実現◆ターボライトテクノロジによる圧倒的な パフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10mm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な問題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。

MZ-75E250B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850EVOシリーズ 250GB(ベーシックキット) [MZ75E250BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:最短24時間以内出荷□「返品種別」について詳しくはこちら□2014年12月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。V-NAND × ターボライトテクノロジーで圧倒的な高速パフォーマンスを実現◆ターボライトテクノロジによる圧倒的な パフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10mm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な問題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。

【あす楽対象】【送料無料】 SAMSUNG 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ-75E250B/IT(250GB)[MZ75E250BIT]

◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

サムスン 2.5インチSATA接続SSD Samsung ベーシックキット(250GB) MZ‐75E250B/IT【送料無料】

【商品解説】●ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ●微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V−NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V−NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

【送料無料】SAMSUNG SSD(250GB) 850 EVO MZ-75E250B/IT [MZ75E250BIT]

[SAMSUNG SSD(250GB) MZ-75E250B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速性能。●強化された RAPID モードでさらに超高速化。●3D V-NAND テクノロジーが実現する究極の耐久性と信頼性。●3D V-NAND によるエネルギー効率の向上により、ノートパソコンのバッテリーがさらに長持ち。●AES 256ビット暗号化により、大切なデータをしっかり保護。●ダイナミック サーマル ガード機能。●ワンストップ インストール ナビゲータで、換装作業も簡単。●自社垂直統合による最高水準の品質管理と最高性能。

【送料無料】 SAMSUNG 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ-75E500B/IT(500GB)[MZ75E500BIT]

◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

【送料無料】SAMSUNG SSD 2TB ベーシックキット 850 EVO シリーズ MZ-75E2T0B/IT [MZ75E2T0BIT]

[SAMSUNG SSD 2TB ベーシックキット MZ-75E2T0B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。

SAMSUNGSSD 850 EVO MZ-75E250B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/250GB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

【送料無料】SAMSUNG SSD(1TB) 850 EVO MZ-75E1T0B/IT [MZ75E1T0BIT]

[SAMSUNG SSD(1TB) MZ-75E1T0B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速性能。●強化された RAPID モードでさらに超高速化。●3D V-NAND テクノロジーが実現する究極の耐久性と信頼性。●3D V-NAND によるエネルギー効率の向上により、ノートパソコンのバッテリーがさらに長持ち。●AES 256ビット暗号化により、大切なデータをしっかり保護。●ダイナミック サーマル ガード機能。●ワンストップ インストール ナビゲータで、換装作業も簡単。●自社垂直統合による最高水準の品質管理と最高性能。

【送料無料】 SAMSUNG 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ-75E1T0B/IT(1TB)[MZ75E1T0BIT]

◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

MZ-75E1T0B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850EVOシリーズ 1.0TB(ベーシックキット) [MZ75E1T0BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:△在庫僅少□「返品種別」について詳しくはこちら□2014年12月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。V-NAND × ターボライトテクノロジーで圧倒的な高速パフォーマンスを実現◆ターボライトテクノロジによる圧倒的な パフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10mm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な問題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。

SAMSUNG MZ-75E500B/IT [500GB/SSD] SSD 850 EVO ベーシックキット SATA (6Gb/s)

商品名 SAMSUNGMZ-75E500B/IT ジャンル SSD 商品概要 V-NANDとターボライトで高速化したSSD「850 EVO」ターボライトテクノロジーによる圧倒的な高速パフォーマンスSSD 850 EVO予備領域の一部を、超高速化バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。前モデルSSD 840 EVOより10%以上優れた高速性能に加え、パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデル同等のパフォーマンスが得られます。パソコンでのあらゆる利用を想定したランダム性能の最適化により、ランダム書込み速度は前モデル比最大2.4倍もの高速化を達成。勿論、大容量データの読み書きに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。SATA3インターフェースの実効速度限界値に迫るリード・540MB/s、ライト・520MB/sを実現しました。

【SSD】 SAMSUNG(サムスン) SSD 850EVO 1TB Serial ATA (MZ-75E1T0B/IT) 【送料無料】【RCP】【0824楽天カード分割】【10P28Sep16】【10P01Oct16】

■サイズ:2.5インチ■容量:1TB (1000GB)■インターフェイス:Serial ATA3(6Gbps)■厚さ:6.8mm■最大読み込み速度:540 MB/s■最大書き込み速度:520 MB/s ■NANDフラッシュ:Samsung 32層 3D V‐NAND■添付品:Samsung Software & マニュアル CD-ROM、取付ガイド、保証規定■リテールパッケージ版/メーカー5年保証

サムスン 2.5インチSATA接続SSD Samsung ベーシックキット(500GB) MZ‐75E500B/IT【送料無料】

【商品解説】●ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ●微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V−NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V−NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

MZ-M5E1T0B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850 EVO mSATAシリーズ 1TB(ベーシックキット) [MZM5E1T0BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:入荷次第出荷□「返品種別」について詳しくはこちら□2015年05月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。3D V-NAND×ターボライトテクノロジー 先進の機能をmSATAに凝縮あなたのパソコンを、もっと速く! パワフルに! タフに! ◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスSSD 850 EVO mSATAの予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得られます。◆信頼の5年保証新たに採用した3D V-NANDにより耐久性、信頼性が劇的に向上。2.5インチモデルSSD 850 EVO 同等の5年間保証。◆さらに進化した省エネ設計SSD 850 EVO mSATAの待機時消費電力はわずか50mW。更に、デバイススリープモード(DEVSLP)をサポート。また、DRAMキャッシュメモリにも省エネ対応品を採用しました。

MZ-M5E120B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850 EVO mSATAシリーズ 120GB(ベーシックキット) [MZM5E120BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:△在庫僅少□「返品種別」について詳しくはこちら□2015年04月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。3D V-NAND×ターボライトテクノロジー 先進の機能をmSATAに凝縮あなたのパソコンを、もっと速く! パワフルに! タフに! ◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスSSD 850 EVO mSATAの予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得られます。◆信頼の5年保証新たに採用した3D V-NANDにより耐久性、信頼性が劇的に向上。2.5インチモデルSSD 850 EVO 同等の5年間保証。◆さらに進化した省エネ設計SSD 850 EVO mSATAの待機時消費電力はわずか50mW。更に、デバイススリープモード(DEVSLP)をサポート。また、DRAMキャッシュメモリにも省エネ対応品を採用しました。

【送料無料】SAMSUNGSSD 850 EVO MZ-75E250B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/250GB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

SAMSUNGSSD 850 EVO MZ-75E1T0B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/1TB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

サムスン 2.5インチSATA接続SSD Samsung SSD 850 EVO ベーシックキット MZ‐75E1T0B/IT(1TB)【送料無料】

【商品解説】◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 ◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung 3D V−NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10nm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V−NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。

【サムスン(SAMSUNG)】SSD850EVOベーシックキット250GB MZ-75E250B/IT

■容量 250GB■タイプ 3D V-NAND■規格サイズ 2.5インチ■インターフェース S-ATA 6Gb/s■設置タイプ 内蔵■厚さ 6.8mm■読込速度 540MB/s■書込速度 520MB/s

MZ-75E2T0B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850EVOシリーズ 2.0TB(ベーシックキット) [MZ75E2T0BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:△在庫僅少□「返品種別」について詳しくはこちら□2015年08月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。V-NAND × ターボライトテクノロジーで圧倒的な高速パフォーマンスを実現◆ターボライトテクノロジによる圧倒的な パフォーマンスNANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。◆微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Samsung V-NAND」従来の平面NANDフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、10mm台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な問題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。

【送料無料】SAMSUNGSSD 850 EVO MZ-75E1T0B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/1TB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

【SSD】 SAMSUNG(サムスン) SSD 850EVO 250GB Serial ATA (MZ-75E250B/IT) 【RCP】【0824楽天カード分割】【10P28Sep16】【10P01Oct16】

■サイズ:2.5インチ■容量:250GB■インターフェイス:Serial ATA3(6Gbps)■厚さ:6.8mm■最大読み込み速度:540 MB/s■最大書き込み速度:520 MB/s ■NANDフラッシュ:Samsung 32層 3D V‐NAND■添付品:Samsung Software & マニュアル CD-ROM、取付ガイド、保証規定■リテールパッケージ版/メーカー5年保証

【送料無料】 SAMSUNG MZ-N5E250B/IT (SSD/M.2 (Type 2280)/250GB/SATA)

SSD/M.2 (Type 2280)/シリアルATA/250GB/メーカー保証付(Samsung SSD正規代理店:ITGマーケティング経由)■3D V-NAND×ターボライトテクノロジー 先進の機能をM.2に凝縮。あなたのパソコンを、もっと速く! パワフルに!タフに!■ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンス:SSD 850 EVO M.2の予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得られます。パソコンであらゆる利用を想定したランダム性能の最適化(※)により、ランダム書き込み速度は高速化を達成。もちろん、大容量データの書き込みに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。SATA3インターフェイスの実効速度限界値に迫るライト500MB/sを実現しました。

【送料無料】SAMSUNGSSD 850 EVO MZ-75E500B/IT (ベーシックキット/SSD/2.5インチ/500GB/SATA)

■3D V-NAND × ターボライトテクノロジー 革新の高速化機能、信頼性、省エネルギー性能。

【送料無料】SAMSUNG SSD(250GB) 850EVO mSATA MZ-M5E250B/IT [MZM5E250BIT]

[SAMSUNG SSD(250GB) MZ-M5E250B/IT]の商品説明●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●微細化プロセス制限の壁を打ち破った技術「Samsung 3D V-NAND」。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Vertical」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。3D V-NANDの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。●SSDのキーデバイスである、NANDフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、DRAMのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から製造までを完結。パフォーマンスと信頼性を高次元に融合した進化形SSD、それがSamsung SSDです。●微細化プロセス制限の壁を打ち破った技術「Samsung 3D V-NAND」。

【SSD】 SAMSUNG(サムスン) SSD 850EVO 500GB Serial ATA (MZ-75E500B/IT) 【送料無料】【RCP】【0824楽天カード分割】【10P28Sep16】【10P01Oct16】

■サイズ:2.5インチ■容量:500GB■インターフェイス:Serial ATA3(6Gbps)■厚さ:6.8mm■最大読み込み速度:540 MB/s■最大書き込み速度:520 MB/s ■NANDフラッシュ:Samsung 32層 3D V‐NAND■添付品:Samsung Software & マニュアル CD-ROM、取付ガイド、保証規定■リテールパッケージ版/メーカー5年保証

MZ-M5E500B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850 EVO mSATAシリーズ 500GB(ベーシックキット) [MZM5E500BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:入荷次第出荷□「返品種別」について詳しくはこちら□2015年04月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。3D V-NAND×ターボライトテクノロジー 先進の機能をmSATAに凝縮あなたのパソコンを、もっと速く! パワフルに! タフに! ◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスSSD 850 EVO mSATAの予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得られます。◆信頼の5年保証新たに採用した3D V-NANDにより耐久性、信頼性が劇的に向上。2.5インチモデルSSD 850 EVO 同等の5年間保証。◆さらに進化した省エネ設計SSD 850 EVO mSATAの待機時消費電力はわずか50mW。更に、デバイススリープモード(DEVSLP)をサポート。また、DRAMキャッシュメモリにも省エネ対応品を採用しました。

MZ-N5E120B/IT【税込】 サムスン Samsung SSD 850 EVO M.2 シリーズ 120GB (ベーシックキット) [MZN5E120BIT]【返品種別B】【送料無料】【RCP】

在庫状況:入荷次第出荷□「返品種別」について詳しくはこちら□2015年04月 発売【ご購入後のお問い合わせにつきまして】製品に関するご質問・製品不具合等につきましては「ITGマーケティングサポートページ」へお問い合わせください。3D V-NAND×ターボライトテクノロジー、先進の機能をM.2に凝縮あなたのパソコンを、もっと速く! パワフルに! タフに! ◆ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスSSD 850 EVO M.2の予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった120GB〜250GBの低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得られます。◆さらに進化した省エネ設計SSD 850 EVO M.2の待機時消費電力はわずか50mW。更に、デバイススリープモード(DEVSLP)をサポート。また、DRAMキャッシュメモリにも省エネ対応品を採用しました。 ◆ダイナミックサーマルガード機能搭載SSD 850 EVO M.2内部に実装された温度センサーが内部温度を監視。

Samsung SSD 250GB 850 EVO ベーシックキット V-NAND搭載 2.5インチ 内蔵型 MZ-75E250B/IT

Samsung V-NAND搭載SSD。日本サムスン正規品。シーケンシャル:読み出し540MB/s、書き込み520MB/s4KBランダム(QD32):読み出し97,000IOPS、書き込み88,000IOPSフォームファクタ:7mm厚 2.5インチHDD互換容量:250GB保証期間:5年保証(TBW:75TB)

Samsung SSD 250GB 850 EVO M.2ベーシックキット Type2280 SATA3.0(6Gb/s) V-NAND搭載 MZ-N5E250B/IT

Samsung V-NAND搭載SSD。日本サムスン正規品。シーケンシャル:読み出し540MB/s、書き込み500MB/s4KBランダム(QD32):読み出し97,000IOPS、書き込み89,000IOPSフォームファクタ:M.2 (Type 2280)容量:250GB保証期間:5年保証(TBW:75TB)付属品:保証規定&ユーザーマニュアル (英語版)

3D V-NANDによって給電120ギガバイトSAMSUNG850 EVOシリーズSATA6GbpsのSSDソリッドステートディスク2.5インチ モデルMZ-75E120

どのような3DのV-NANDであり、それはどのように既存の技術の違いは? サムスンのユニークで革新的な3DのV-NANDフラッシュメモリアーキテクチャは、今日の従来の平面NANDアーキテクチャの密度制限、性能と耐久性を克服する画期的な製品です。 3D V-NANDは、垂直方向に1つの上に32細胞層を積層し、別のではなく、細胞の大きさを減少させ、高密度化、小型フットプリントを活用し、より良い性能が得られ、固定水平方向のスペースに自分自身に合うようにしようとして製造されます。SATA6Gb /秒の接続で120ギガバイトサムスン850 EVO2.5インチSSD。 V-NAND技術、TurboWriteを含むと読み、520メガバイト/秒の書き込み速度540メガバイト/秒まで高速化高速連射強化された機能がたくさん。 AES 256ビットの暗号化と5年間の保証付き。 無類の読み出し/書き込み速度のためTurboWrite技術で毎日のコンピューティングを最適化 サムスンのTurboWrite技術を使用して、日常のコンピューティング体験を最大限にする究極のリード/ライト性能を実現。